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Intel再投200亿美元建2座芯片工场“1.8nm”工艺王者转头

Intel再投200亿美元建2座芯片工场“1.8nm”工艺王者转头

当地时辰9月9日,Intel CEO基辛格晓谕在美国俄亥俄州投资200亿美元新建大型晶圆厂,这是Intel IDM 2.0策略的一部分,扫数投资计较高达1000亿美元,新工场瞻望2025年量产,届时“1.8nm”工艺将让Intel重新回到半导体教唆者地位。

基辛格前年2月份担任Intel CEO以来,运行猖狂鼓吹在美国及大师建厂,其中美邦原土的投资至少卓绝400亿美元,前年还是在亚利桑那州投资200亿美元建晶圆厂,此次是在俄亥俄州相同投资200亿美元,还在新墨西哥州配置新的封测工场。

Intel这座工场亦然美国通过528亿美元的芯片补贴法案之后原土新建的大型半导体芯片厂,为此美国总统也出席了开工典礼,还有俄亥俄州州长等地点部门高官。

Intel的芯片制造基地将有2座晶圆厂构成,最多可容纳8个厂房及配套的生态救济系统,占大地积快要1000英亩,也便是4遍及公里之大,最新动态将创造3000个高薪责任岗亭,7000多个建筑工岗亭,以及数万个供应链相助岗亭。

这两座晶圆厂瞻望会在2025年量产,Intel莫得具体提到工场的工艺水平,然则Intel之前暗示要在4年内把握5代CPU工艺,2024年就要量产20A及18A两代工艺,因此这里的工场届时应该也会量产18A工艺。

20A、18A是大师首个达到埃米级的芯片工艺,十分于友商的2nm、1.8nm工艺,还会首发Intel两大黑科技时期Ribbon FET及PowerVia。

凭据Intel所说,RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的竣事,它将成为公司自2011年最初推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该时期加速了晶体管开关速率,同期竣事与多鳍结构调换的驱动电流,但占用的空间更小。

PowerVia是Intel畸形的、业界首个后面电能传输会聚,通过舍弃晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。



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